| 摘要: | 本研究除以反應離子蝕刻（RIE）與感應耦合電漿(ICP)來加工CVD 鑽石薄膜(蝕刻氣體為O2)，另外同時也利用Plasma在大氣、室溫下預處理鑽石薄膜表面，再進行RIE和ICP蝕刻。研究結果顯示CVD鑽石薄膜經由RIE和 ICP處理後，表面結構有明顯蝕刻及改質的現象，這些物質根據拉曼頻譜分析為非晶鑽成分。而使用電漿前處理然後再經過RIE與ICP處理的鑽石薄膜更可以於短時間內造成表面改質及降低表面粗糙度(從Ra~1.43um 到Ra~0.26um)。實驗中並同時探討加工中的一些參數，如氣體種類、加工時間、RIE 與ICP 功率大小與鑽石薄膜表面拋光結果之關係，再分別以掃描式電子顯微鏡SEM（Scanning Electron Microscopy）、Raman 光譜儀與α-Step觀察、測量鑽石膜加工後之表面形貌變化與結構組織。 |