反應離子蝕刻與感應耦合電漿加工化學氣相沉積鑽石薄膜之研究

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題名:	反應離子蝕刻與感應耦合電漿加工化學氣相沉積鑽石薄膜之研究
作者:	簡川于;黃帥文;周文成;趙崇禮
貢獻者:	淡江大學機械與機電工程學系
關鍵詞:	CVD鑽石薄膜;反應離子蝕刻;感應耦合電漿
日期:	2005-11
上傳時間:	2014-03-07 11:44:44 (UTC+8)
摘要:	本研究除以反應離子蝕刻（RIE）與感應耦合電漿(ICP)來加工CVD 鑽石薄膜(蝕刻氣體為O2)，另外同時也利用Plasma在大氣、室溫下預處理鑽石薄膜表面，再進行RIE和ICP蝕刻。研究結果顯示CVD鑽石薄膜經由RIE和 ICP處理後，表面結構有明顯蝕刻及改質的現象，這些物質根據拉曼頻譜分析為非晶鑽成分。而使用電漿前處理然後再經過RIE與ICP處理的鑽石薄膜更可以於短時間內造成表面改質及降低表面粗糙度(從Ra~1.43um 到Ra~0.26um)。實驗中並同時探討加工中的一些參數，如氣體種類、加工時間、RIE 與ICP 功率大小與鑽石薄膜表面拋光結果之關係，再分別以掃描式電子顯微鏡SEM（Scanning Electron Microscopy）、Raman 光譜儀與α-Step觀察、測量鑽石膜加工後之表面形貌變化與結構組織。
關聯:	中國機械工程學會第二十二屆全國學術研討會論文集，5頁
顯示於類別:	[機械與機電工程學系暨研究所] 會議論文

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