English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 58323/91867 (63%)
造訪人次 : 14035796      線上人數 : 70
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library & TKU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋
    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://tkuir.lib.tku.edu.tw:8080/dspace/handle/987654321/93957


    題名: 以偏壓輔助成長鑽石膜改善場發射特性之研究
    其他題名: Bias-enhanced growth processes for improving the electron field emission properties of diamond films
    作者: 陳韋仁;Chen, Wei-Ren
    貢獻者: 淡江大學物理學系碩士班
    林諭男;Lin, I-Nan
    關鍵詞: 偏壓;場發射;鑽石膜;bias;diamondfilm
    日期: 2013
    上傳時間: 2014-01-23 13:43:59 (UTC+8)
    摘要: 本研究在三種氣體條件下,以負偏壓成長(Bias Enhanced Growth, BEG)製程,在施加偏壓成核與成長過程中,會利用光放射光譜(Optic Emission Spectroscopy, OES)與偏壓電流(Bias Current)監測製程,並利用拉曼(Raman)光譜、SEM 分析表面形貌、本研究有三種不同實驗條件,(1)甲烷/氫氣電漿:固定成長時間30分鐘、微波功率、甲烷/氫氣比例,改變偏壓值,腔室壓力,希望可以在氫氣電漿下控制其鑽石晶粒尺寸大小,使其擁有UNCD的鑽石晶粒大小,以期改善其場發射特性。(2)甲烷/氫氣/氬氣電漿:我們在第一部分的實驗中,找一組有較佳的場發射特性的條件,在甲烷/氫氣電漿中加入不同比例氬氣,觀察其結果變化。(3)甲烷/氬氣電漿:第三部份我們嘗試在一般成長UNCD的條件下,用偏壓輔助成長鑽石膜,觀察場發射特性變化。由穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy,TEM)的觀察發現電子場發射特性變佳的主要因素是在 U-BEG過程中成長鑽石薄膜會沿著晶界處產生石墨相。
    In this thesis, we used U-BEG(ultrasonication-bias enhanced growth) in three different Experimental conditions. In applying a bias nucleation and growth process will profit OES (optic Emission Spectroscopy) and bias current monitoring process and utilize Raman spectroscopy, SEM(scanning electron microscope) analysis of surface morphology, electronic EFE (field emission) measurements feature diamond films. Investigate how changes in field emission property.
    顯示於類別:[物理學系暨研究所] 學位論文

    文件中的檔案:

    檔案 大小格式瀏覽次數
    index.html0KbHTML221檢視/開啟

    在機構典藏中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    TAIR相關文章

    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library & TKU Library IR teams. Copyright ©   - 回饋