含carbazole基矽氧高分子之合成及其電荷移 轉錯體之性質

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題名:	含carbazole基矽氧高分子之合成及其電荷移轉錯體之性質
作者:	謝芳枝;胡朝景
貢獻者:	淡江大學化學學系
關鍵詞:	聚合物(高分子);聚矽氧烷;電荷轉移;錩合物(配位化合物);Polymer;Polysiloxane;Charge Transfer;Complex;Carbazole
日期:	1991-06
上傳時間:	2013-04-09 11:39:54 (UTC+8)
出版者:	新竹市 : 清華大學化學工程研究所
摘要:	合成一系列含Carbazole之不同次甲基長度的聚矽氧烷聚合物,其TG隨側鏈長度之增加而由 45.degree.C降至-10.degree.C,含 Carbazole聚矽氧烷聚合物與DNB壓克力系聚合物,兩者間無法互容,以低分子量的EDNB來摻合以形成EDA錯體,其CT BAND吸收在可視光區出現,而且Aromatic H-NMR的化學位移會因錯體之形成而位移,且隨錯合程度之降低改變。 EDA錯體之Tg則會隨EDNB成分所加入之量的增加而增加,產生類似反可塑化作用的效果。求得此 EDA錯體之平衡常數為0.35l/mole及錯合物之錯合百分比,得較佳之錯合百分比為當摻合比例為 EDNB:PMPrS-Cz 0.1:1時之49%為最高。 A series of polysiloxane containing carbazole group with different spacer length were synthesized. Charge transfer complexes were formed when the polymers were doped with low molecular weight EDNB. The chemical shift of the 1H-NMR of the aromatic protons moved upfield, due to the formation of the complexes. The Tg increased with the increasing EDNB content. The equilibrium constant of the EDA complex was 0.35 l/mole based on the UV-VIS spectra, and the Benedisi-Hildebrand equation, and the maximum complexation percent was 49% when EDNB/PMPrS-Cz was 0.1/1 ratio.
關聯:	第十四屆高分子研討會論文專輯(第七卷第二冊)=Proceedings of the 14th ROC Polymer Symposium 1991 (II)，頁848-851
顯示於類別:	[化學學系暨研究所] 會議論文

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