分子動態學及光譜之理論與實驗研究-子計畫五：半導體表面化學氣相沈澱和分解生成薄膜的理論研究

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題名:	分子動態學及光譜之理論與實驗研究-子計畫五：半導體表面化學氣相沈澱和分解生成薄膜的理論研究
其他題名:	Theoretical Study of Chemical Vapor Deposition and Decomposition Mechanism of Silane on Si and Mixed Si Ge Surface
作者:	林志興
貢獻者:	淡江大學化學學系
關鍵詞:	化學氣相沈積;薄膜;溫度程式去吸附;從頭計算;Chemical vapor deposition;Thin film (membrane);Themperature programmed deposition;Ab initio calculation
日期:	1998
上傳時間:	2009-03-16 12:24:24 (UTC+8)
摘要:	儘管化學氣相沉澱物SiH4在半導體表面的吸附已經很完整的被溫度程式去吸附和靜態二次質譜方法來作研究，但是對於SiH4和SiHX(X=3,2,1)在表面的分解機制都不是很清楚。另外Si的半導體表面參雜了一些Ge的雜質，則化學氣相沉澱反應的速率會有顯著的改變。由於這些基礎問題的研究有助於半導體工業界能夠在更佳的控制條件來生長Si的薄膜。基於這個理由電腦模擬提供一個很好的工具來探討 SiH4 和SiHX吸附在Si或SiGe的半導體表面的結構和其相關能量，而使我們對SiH4在半導體表面的分解機制與速率的問題有更深一層的了解。我們將使用包括擬位勢和汎函理論的總能量計算方法來探討以上所提出的問題。這種方法讓我們很準確的算法出不同結構的能量差。這些結果可以幫助我們了解SiH4在化學氣相沉澱的分解反應機制和分解反應速率如何受到半導體表面。
顯示於類別:	[化學學系暨研究所] 研究報告

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