塞吩高分子聚合物之密度泛函數計算

淡江大學機構典藏 > 理學院 > 化學學系暨研究所 > 學位論文 > Item 987654321/32680

請使用永久網址來引用或連結此文件: https://tkuir.lib.tku.edu.tw/dspace/handle/987654321/32680

題名:	塞吩高分子聚合物之密度泛函數計算
其他題名:	Theoretical investigation of polythiophene by density functional theory with periodic boundary conditions
作者:	梁昭崇;Liang, Chao-chung
貢獻者:	淡江大學化學學系碩士班王伯昌;Wang, Bo-cheng
關鍵詞:	能隙;推電子;拉電子;HOMO;LUMO;energy gap;polythiophene;periodic boundary condition;PBC
日期:	2006
上傳時間:	2010-01-11 02:32:53 (UTC+8)
摘要:	利用量子化學計算方法( PBC-DFT )，探討塞吩高分子聚合物的電子性質。討論的聚合物包括塞吩3-位置上的推、拉電子基取代後的聚合物，推電子基團包括-CH3、-C6H13、-OH、-NH2、-OCH3，拉電子基包括-CF3、-CN、-CHO、-Cl、-NO2、-COOH；也討論塞吩的3,4-位置上雙取代的聚合物、及3,4-位置上環狀取代的聚合物。使用密度泛函數(PBC-DFT)之B3LYP/6-31G*層級來計算這些塞吩聚合物的電子結構、以及相關之電子軌域能量( HOMO，LUMO )與ΔEgap( HOMO-LUMO )。得到的計算值將與實驗值相比較，發現計算值與實驗值有相同的趨勢，為一準確且節省時間、步驟的方法，將來對於類似聚合物的開發、設計上可以當做參考的工具。 Polythiophene is a high π-electron conjugated polymer. It can be applied for the organic semi-conductor material, OLED, PLED, and OFET. Electron-drawing groups and electron-withdrawing groups can affect the Egap of polythiophene.In this study, the geometrical structures and electronic properties of polythiophene is studied using the density functional theory with B3LYP functional. Electronic structrues of polythiophene is investigated by the periodic boundary condition (PBC). Calculated the orbital energies of HOMO, LUMO, and energy gap(Egap). According to my calculating result, the Egap has the same tendency with the experimental value. This study provide a sample and satisfying method, which may be applied to design new materials.
顯示於類別:	[化學學系暨研究所] 學位論文

文件中的檔案:

檔案	大小	格式	瀏覽次數
	0Kb	Unknown	270	檢視/開啟

在機構典藏中所有的資料項目都受到原著作權保護.

TAIR相關文章

資料載入中.....