DSpace collection: 學位論文

X光吸收光譜對銅摻雜之鈦鎳合金(Ti50Ni50-xCux)電子結構的研究

Fri, 03 Aug 2018 06:46:05 GMT

title: X光吸收光譜對銅摻雜之鈦鎳合金(Ti50Ni50-xCux)電子結構的研究 abstract: 我們以X光吸收光譜對鈦鎳摻雜銅合金Ti50Ni50-xCux (x=5，7.5，10，15，20，25，30)進行研究。從Ti L2，3 -edge譜中，Ti 3d 未占據態的變化趨勢與銅含量小於15%(x<15)電阻率的趨勢相反跟電子熱導率趨勢一致。從Ni L2，3 -edge譜中，Ni 3d未占據態的變化趨勢與銅含量大於15%(x>15)電阻率的趨勢相反跟電子熱導率趨勢一致。從Ni的K-edge 譜中，前置吸收峰在Ti50Ni50-xCux系列樣品(x=20、25、30)隨著x含量上升，3d-4p混成未佔據態有序下降。從Cu的K-edge譜中，前置吸收峰在Ti50Ni50-xCux系列樣品(x=20、25、30)隨著x含量上升，3d-4p混成未佔據態有序上升。可知Ti50Ni50-xCux系列樣品(x=20、25、30) 電子由Cu 3d-4p混成軌域向Ni 3d-4p混成軌域遷移。
description: 碩士

以延伸X光吸收精細結構探討退火時間對形狀記憶合金Ti48.7Ni51.3局域結構之影響

Fri, 03 Aug 2018 06:46:03 GMT

title: 以延伸X光吸收精細結構探討退火時間對形狀記憶合金Ti48.7Ni51.3局域結構之影響 abstract: 　　我們以X光吸收光譜對不同退火時間（1、3、5、10、25、50 小時）的富鎳之鈦鎳合金Ti48.7Ni51.3進行有系統之研究。從Ti的K-edge譜與Ni的K-edge譜中，前置吸收峰與主吸收峰均無明顯變化。從Ti K-edge EXAFS的傅立葉轉換強度觀察到，在距離約2.56 Å處有第一配位峰，此峰為Ti-Ni鍵結，隨著退火時間的改變有很大的變化。從Ni K-edge EXAFS的傅立葉轉換強度觀察到，在距離約2.56 Å處有第一配位峰，此峰為Ni-Ti鍵結，隨著退火時間的改變有很大的變化。Ti-Ni鍵的配位數均大於Ni-Ti鍵的配位數，與樣品的富鎳性質相符合。當退火時間大於10時，Ti-Ni鍵的Debye-Waller factor與聲子熱導率呈反比關係；當退火時間小於10時，Ni-Ti鍵的Debye-Waller factor與聲子熱導率皆無明顯變化，表示聲子熱導率當退火時間大於10時與Ni亂度有關，當退火時間小於10時與Ti亂度有關。當退火時間大於3時，Ti-Ni鍵的Debye-Waller factor與電阻率呈正比關係； Ni-Ti鍵的Debye-Waller factor與電阻率無明顯關係，表示電阻率當退火時間大於3時與Ni亂度有關。
description: 碩士

電漿處理對超奈米晶鑽石薄膜電子場發射特性的影響

Fri, 03 Aug 2018 06:46:01 GMT

title: 電漿處理對超奈米晶鑽石薄膜電子場發射特性的影響 abstract: 鑽石擁有高硬度、極佳耐磨耗、良好場發射性、高導熱等優點。應用在表面聲波元件、微機電元件、生醫材料、場發射元件等材料，薄膜是需要的良好場發射性、導電性鑽石。鑽石薄膜依據表面形貌可以分為微晶鑽石（MCD）、奈米晶鑽石（NCD）、超奈米晶鑽石（UNCD），其中超奈米晶鑽石具備更低的良好場發射性、表面粗糙度及較佳的導電性質。　　在我們成長鑽石薄膜所使用的系統(Innovative Plasma system,IPLAS)，是屬於微波電漿輔助化學汽相沉積法(Microwave Plasma enhanced Chemical Vapor Deposition, MPECVD)。一般而言，我們用一定比例的氬氣及甲烷來成長UNCD，但後來發現，當我們將成長好的UNCD再進行不同氣氛的微波電漿處理，薄膜的場發射特性優於原本的UNCD薄膜。因此我們藉由拉曼光譜、電漿光發射光譜、掃描式電子顯微結構、穿透式電子顯微結構、電子能量損失譜等，來探討當我們對UNCD進行微波電漿處理後，對其微結構以及場發射特性有著什麼樣的變化。　　本實驗針對不同的鑽石薄膜基板分別進行甲烷/氬氣/氫氣及甲烷/氮氣兩種混合氣體電漿並施加偏壓處理後，觀察發現場發射起始電場呈現相同趨勢的變化，利用穿透式電子顯微鏡觀測樣品，加上場發射起始電場與霍爾量測等結果，顯示出使用電漿處理對於不同薄膜基板造成改質或是成長之程度有所不同，發現以小顆粒鑽石晶粒為主且擁有充足晶界空間之鑽石薄膜對於其改質的效果越好，改善電子場發射特性的效果最佳。
description: 碩士

可能為二維電荷密度波材料之單晶Sr3Ir4Sn13樣品的電子與原子結構

Fri, 03 Aug 2018 06:45:59 GMT

title: 可能為二維電荷密度波材料之單晶Sr3Ir4Sn13樣品的電子與原子結構 abstract: 本論文主要藉由同步輻射相關實驗研究三元複合錫化物Sr3Ir4Sn13中二維電荷密度波(two-dimensional charge density wave、2D-CDW)。實驗技術上包括X光散射(X-ray Scattering、XRS)、X光吸收近邊緣結構(X-ray absorption near-edge structures、XANES)、延伸X光吸收精細結構(Extended X-ray absorption fine structure、EXAFS)，探討高品質的 Sr3Ir4Sn13單晶樣品於相變溫度147K (T* ≈ 147 K) 時的電子與原子結構。 X光散射實驗中，在相變溫度下一系列衛星峰的發現，說明可能在沿著(1 1 0)平面上產生了2D-CDW。相變溫度下當沿著(1 1 0)平面，在EXAFS以及相衍生分析中，發現兩種不同的鍵結長度(Sn1(2)-Sn2)，證實了Sn原子的扭曲只發生在(1 1 0)平面上，與2D-CDW有強烈的相關性；而在XANES實驗中，Ir 5d軌域未佔據態的增加以及未佔據態幾乎沒有改變的Sn 5p軌域，說明了在電阻率的變化上，Ir 5d軌域未佔據態的改變相較於Sn 5p軌域扮演較重要的角色。因此在 Sr3Ir4Sn13樣品中，電子以及原子結構與2D-CDW有著密切的關係。
description: 碩士

The electronic and atomic structure of strongly correlated manganite thin film and gadolinium-based metallofullerene

Fri, 03 Aug 2018 06:45:57 GMT

title: The electronic and atomic structure of strongly correlated manganite thin film and gadolinium-based metallofullerene abstract: 由第三代同步輻射光所衍生出來的能譜術，包含針對晶格結構的X射線繞射分析(XRD)，電子或軌域結構的X光吸收近邊結構能譜術(XANES)和X光線偏振二向性能譜術(XLD)，磁結構的X光磁圓偏振二向性能譜術(XMCD)，佔據態及其交互作用的X光發射能譜術(XES)和共振非彈性X光散射能譜術(RIXS)等各項技術被視為探究複雜耦合機制的有力工具。藉由其優異的對稱性及元素選擇性，在眾多錳系陶瓷薄膜及釓系化合物等強關聯系統研究中發揮關鍵的分析功能。本文第一部分對釓基團簇富勒烯(metallofullerene)化合物 Gd3-xScxN@C80進行XAS及RIXS相關研究。釓基團簇富勒烯作為核磁共振(MRI)高效顯影劑(CAs)的潛能被深入探討，然而其中關鍵的金屬釓離子在電子結構及交互作用上卻尚未被研究透徹。我們利用釓N4,5-edges RIXS對 Gd3-xScxN@C80進行釓4f電子結構以及帶自旋翻轉特性的激發。相較於標準樣品氧化釓以及商用顯影劑釓基螯合物，富勒烯包覆的釓離子在特徵峰能量上位移，且峰形表現出與激發能量無關的寬化現象。並結合理論與實驗，討論釓離子內部軌域各種能量參數如交換場(Jex)、4f-4f庫侖作用、自旋-軌道耦合(SOC)等在富勒烯碳離子環境下所產生的響應。第二部份利用變溫XRD量測不同膜厚的C-type反鐵磁錳系陶瓷薄膜-釹鍶錳氧(NSMO)/鈦酸鍶(STO)其基板應力對釹鍶錳氧薄膜晶格結構的影響，並配合錳L3,2-edge XLD和理論計算判定此隨溫度變化之應力對於錳離子在室溫及低溫情況下3d eg軌域的有序度，佔據狀態以及分裂程度。並進一步討論由XMCD以及磁化強度對溫度(M-T)曲線所觀察到可隨膜厚調制的尼爾溫度(TN)及低溫鐵磁性與軌域狀態的關聯。最後則介紹由淡江大學(TKU)，台灣同步輻射(NSRRC)以及美國勞倫茲國家實驗室-先進光源(ALS, LBNL)共同合作建造台灣光子源(TPS)-45A軟X光發射譜(SXE)實驗站XES/RIXS光譜儀的功能、光學設計以及直射X光測試。
description: 博士

Neutron powder diffraction study of the double perovskite oxides YBa(Cu1-xFex)2O5

Fri, 03 Aug 2018 06:45:55 GMT

title: Neutron powder diffraction study of the double perovskite oxides YBa(Cu1-xFex)2O5 abstract: 我們透過固態反應法合成一系列的YBa(Cu1-xFex)2O5，藉此研究銅、鐵的比例對樣品的結構與磁性所產生的影響。根據磁化率的量測結果，我們得知在銅鐵比例相同的條件下此樣品具有兩個反鐵磁相變溫度(TN1 和 TN2)；同時，中子繞射的結果顯示在這兩個相變點附近會發生磁結構的相變(正配相→非正配相)，在溫度較低的情況下正配相非常微弱。然而，隨著鐵的化學劑量越高第二相變溫度TN2也跟著升高，此相變只發生在0.490 ≤ x ≤ 0.515的範圍之內，無論是磁化率量測以及中子繞射都得到相同的結果。唯一不同的是當0.510 ≥ x時，鐵的參雜會誕生出新的磁結構相變取代了原有的正配-非正配相變，並與原有的正配相共存。
description: 碩士

Defect induced magnetism in nano-materials studied by X-ray-based spectroscopic and microscopic techniques

Fri, 03 Aug 2018 06:45:53 GMT

title: Defect induced magnetism in nano-materials studied by X-ray-based spectroscopic and microscopic techniques abstract: X光顯像及相關能譜實驗技術提供了具備高空間解析度及元素針對性的電子、原子結構資訊於基礎科學研究、材料研發及產業應用上，包括X光吸收近邊結構(X-ray Absorption Near Edge Structure, XANES)、X光光電子能譜術(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)、X光磁圓偏振二向性(X-ray Magnetic Circular Dichroism, XMCD)、X光激發螢光(X-ray Excited Optical Luminescence, XEOL)、衍生X光吸收精細結構(Extended X-ray Absorption Fine Structure, EXAFS)及掃描式穿透X光顯像術(Scanning Transmission X-ray Microscopy, STXM)等，這些新穎技術提供了研究非磁性材料之室溫鐵磁現象誘發機制更豐富多元的實驗證據及方法。藉由掃描式穿透X光顯像術在碳的K邊上所量測到之X光吸收近邊結構顯示，在利用光熱法還原氧化石墨烯後所發生的室溫鐵磁轉順磁現象，與碳原子缺陷或空缺相關的2p(σ*)電子軌域有很強的關連性，而非與在石墨烯表面處所形成之官能基相關的2p(π*)電子軌域有關。密度泛函理論計算結果更顯示，當石墨烯中碳原子空缺所造成的局域缺陷結構發生楊-泰勒扭曲現象時，將有助於磁矩的產生，如同在氧化石墨烯中所量測到的室溫鐵磁現象。結合掃描式穿透X光顯像術與X光磁圓偏振二向性等能譜術發現，在氧化鋅奈米線中所觀測到的室溫鐵磁現象，與奈米線近表面處的氧2p軌域磁矩有很強的關連性，而非與鋅3d軌域有關。局域密度近似理論計算結果也證實，鋅原子空缺會誘發最鄰近氧原子位置上的未鍵結2p電子產生局域化磁矩，導致室溫鐵磁現象的發生。另外，磁性量測結果顯示，氧化鋅奈米線的室溫飽和磁矩強度，在經過碳離子佈值後，被大幅度的增強。藉由掃描式穿透X光顯像術及X光相關能譜術的實驗結果推測，磁矩增強的主要原因，是來自於佔據在晶格間隙中的碳原子所貢獻。
description: 博士

Study of the modulated structures in 3d transition metal oxides

Fri, 03 Aug 2018 06:45:51 GMT

title: Study of the modulated structures in 3d transition metal oxides abstract: 本論文主要針對兩種不同的3d過渡金屬氧化物，La1.66Sr0.33NiO4(LSNO)及SrFeO2.81(SFO)，在低溫下所產生的電荷及電子自旋有序調制結構的相變化進行研究，其中利用硬X光繞射及共振軟X光繞射技術來量測電荷及電子自旋有序調制結構的相變化。在La2-xSrxNiO4系統中，當Sr摻雜量為x = 0.33時，在低溫下所產生的電荷有序波向量及電子自旋有序波向量為QCO(4.66 0 3)及QSO(0.66 0 0)，而其相變溫度分別為TCO = 230 (K)和TSO = 190 (K)，特別的是，電荷有序調制結構的相變化過程中會產生"反向有序到無序"(Inverse Order-Disorder Transition)的相變化，而本論文中亦針對此現象探討。而在另一個3d過渡金屬氧化物系統，SrFeO2.81，在低溫下所產生的電荷有序波向量及電子自旋有序波向量為QCO(0 0 3.37)及QSO(0 0 0.5)，而其相變溫度分別為TCO = 110 (K)和TSO = 70 (K)，在此系統中除了有豐富的調制結構的相變化，亦產生四方體轉單斜晶的結構變化，而此結構變化亦伴隨著遲滯現象的發生。針對SFO系統，本論文中利用光譜計算來模擬低溫下Fe L3,2-edge的螢光吸收光譜，並利用低溫下單斜晶的原子結構來做第一原理(LDA+U)的計算，透過態密度(Density of State)及能帶結構(Band Structure)來分析在低溫下SFO系統的電子結構，並確認了反鐵磁相以及電荷轉移的傳導機制。
description: 博士

利用第一原理拉曼計算探究二維氮化硼/石墨烯異質結構之層狀堆疊與層間作用強度

Fri, 03 Aug 2018 06:45:49 GMT

title: 利用第一原理拉曼計算探究二維氮化硼/石墨烯異質結構之層狀堆疊與層間作用強度 abstract: 在2004年Andre Geim的研究團隊在偶然的情況下，重複使用膠帶黏貼石墨，使之撥離出單層石墨烯(Graphene)的樣品，且在觀測石墨烯後，發現了許多令人驚豔的物理性質，因而吸引許多科學家投入對二維材料的探索。為了探究二維新穎材料的基礎特性，我們將以第一原理密度泛函微擾理論，計算單、雙層石墨烯及單、雙層與多層氮化硼以及氮化硼/石墨烯異質結構，其電子結構、晶格的振動模式及拉曼光譜。本篇論文首先介紹密度泛函理論(Density Functional Theory)與密度泛函微擾理論(Density Functional Perturbation Theory)，並說明拉曼光譜的理論基礎與第一原理計算方法。接著模擬計算石墨烯與氮化硼六角結構單層與雙層系統，也探討單層氮化硼結構中，聲子LO-TO 分裂 (Longitudinal Optical-Transverse Optical splitting)效應，並通過多層結構探討層間作用力。此外，我們也研究氮化硼/石墨烯異質結構的穩定堆疊結構、電子結構及晶格振動特性。我們藉由計算低頻剛體層狀振動模式之頻率，估計層狀結構中之層間作用力強度大小，進而發現氮化硼/石墨烯異質結構層間之作用強度，比為氮化硼層大。而在異質結構中，因為層間耦合作用較弱，導致高頻區聲子模態，明顯由個別原子層所主導，此一特性，亦說明異質結構之聲子能譜，可視為單層氮化硼聲子與單層石墨烯聲子之組合，惟其主要相異處，在於光支頻低頻區的聲子模態，對應於相異原子層間之相對運動。
description: 碩士

以延伸X光吸收光譜精細結構探討銅摻雜對TiNi合金局域結構之影響

Fri, 03 Aug 2018 06:45:47 GMT

title: 以延伸X光吸收光譜精細結構探討銅摻雜對TiNi合金局域結構之影響 abstract: 我們以延伸X光吸收光譜精細結構(EXAFS)對鈦鎳形狀記憶合金依照摻雜不同比例的銅Ti50Ni50-xCux(x=5、7.5、10、15、20、25、30)進行原子結構分析。我們將EXAFS部分去做傅立葉轉換至R-space再分別對Ni、Cu K-edge的第一配位峰的Ni-Ti及Cu-Ti鍵結去做Fitting後得到配位數、鍵長、Debye-Waller facter (DWF)等數據去探討當摻雜銅濃度不同時晶體結構變化的定量分析，藉由Fitting的結果皆可看出shift造成之影響，最後再與熱電性質等數據去做分析，可看出晶格亂度上升(DWF)導致聲子不易傳導，進而影響其電阻率及晶格熱導率。
description: 碩士

Quasi-Skutterudite化合物中結構相變化之X光散射研究

Fri, 03 Aug 2018 06:45:45 GMT

title: Quasi-Skutterudite化合物中結構相變化之X光散射研究 abstract: 本論文利用X光散射與變溫實驗方法來研究Quasi-Skutterudite化合物中Sr3Ir4Sn13與Sr3Rh4Sn13調製結構相變化機制，其超導溫度TC分別為5K與4.2K，從電阻率量測上發現樣品分別於T*~147K與133K有相變化，認為由電荷密度波所致，伴隨結構相變化，於低溫時為體心立方結構，溫度高於T*，轉變為簡單立方結構。為探討於T*時的相變化原因，利用高解析度X光散射實驗，發現於低溫時產生一調製結構，此調製結構波方向為，為a×b平面結構，針對此調致結構進行變溫量測，觀察到其結構相變化為二階變化，相變溫度約146K。針對參雜了Ca的(Sr0.5Ca0.5)3Ir4Sn13 與Ca3Ir4Sn13進行變溫量測，其相變溫度降至76K與37K，推測由原子大小所導致的化學壓力使相變溫度下降。我們也針對布拉格繞射(4 4 0)進行變溫量測，觀察到於T*有非線性的變化，確認於T*有晶格結構相變化。
description: 碩士

改進電子能譜中的化學鍵型區分法以及使用鍵結態密度分析不同類型碳結構的物性差異

Thu, 24 Aug 2017 15:38:19 GMT

title: 改進電子能譜中的化學鍵型區分法以及使用鍵結態密度分析不同類型碳結構的物性差異 abstract: 本論文使用李明憲老師提出的鍵結密度分析方法，這是一個能把電子雲分解出不同的鍵結類型的分析工具，像是σ鍵、σ*鍵、π鍵、π*鍵等等。現在進一步的能夠將態密度(Density of states)、吸收能譜與放射能譜作貢獻分解。利用鍵結密度分析工具探討一般鑽石與六方鑽石，為什麼這兩種材料鍵結形式的差異，能夠造成六方鑽石沿C軸方向較硬的原因。還有在奈米鑽石上的研究上，以新方法來區分奈米鑽石不同相的電子能譜及其鍵結型態的差異。最後由於結構搜尋(structure search)方法的發展成熟，發現了許多新的純碳晶體，例如M-carbon、W-carbon、F-carbon等等。我們將把鍵結密度分析工具應用在探討純碳結構的多變性機制上。
description: 碩士

利用X光吸收光譜研究單晶結構的YBaCuFeO5

Thu, 24 Aug 2017 15:38:18 GMT

title: 利用X光吸收光譜研究單晶結構的YBaCuFeO5 abstract: 本論文主要以同步輻射相關實驗研究類鈣鈦礦單晶結構的YBaCuFeO5電子、原子結構的相關性。實驗包含在不同溫度下X光吸收之線二向性(XLD)、X光吸收近邊緣結構(XANES)、延伸X光吸收精細結構(EXAFS)。YBaCuFeO5隨著溫度從室溫降至低溫我們觀察到電阻率急遽增加，沿著樣品不同的方向上(AB平面)和(C軸)測量到(110K)及(125K)不同的相變溫度。從XLD實驗結果中發現位於晶格結構中心的Fe 3d eg電子從室溫降到相變溫度時，電子軌域由x2-y2轉向3z2-r2軌域；同樣位於晶格結構中心的Cu 3d eg電子在變溫過程中卻沒有任何明顯的變化，從X光延伸吸收精細結構的實驗中，可以觀察到降溫過程時Cu-O鍵沒有明顯的變化；而Fe-O鍵在相變溫度時會發現樣品不同平面的鍵結縮短及拉長，導致電阻變大。
description: 碩士

以X光吸收光譜研究Cu-Ni合金之電子結構

Thu, 24 Aug 2017 15:38:17 GMT

title: 以X光吸收光譜研究Cu-Ni合金之電子結構 abstract: 我們以X光吸收光譜對不同濃度比例的Cu1-xNix合金（x=0.2，0.3，0.4，0.5）進行有系統之研究。在Cu的K-edge光譜中，Cu 4p空軌域隨著Ni濃度的增加而上升，而Cu 3d-4p空軌域會隨著Ni濃度的增加而下降。在Ni的K-edge光譜中，Ni 4p空軌域會隨著Ni濃度的增加而上升，而Ni 3d-4p空軌域隨著Ni濃度的增加而沒有明顯變化。由Cu的L3-edge面積積分顯示，隨著Ni濃度的增加，x>0.3的樣品，Cu 3d空軌域會有序下降。由Ni的L3-edge面積積分顯示，隨著Ni濃度的增加，x>0.3的樣品，Ni 3d空軌域會有序下降。根據實驗結果得到推測，Cu1-xNix合金隨著Ni濃度的增加，會有電子由4p軌域轉移至3d軌域的現象，進而使導電率和熱導率下降，並且由L3-edge面積積分與熱電力的比較，我們發現了Cu 3d空軌域數目的改變量會與熱電力之結果有相關聯。
description: 碩士

以延伸X光吸收精細結構探討銅鎳合金原子結構與其相對含量之關聯性

Thu, 24 Aug 2017 15:38:15 GMT

title: 以延伸X光吸收精細結構探討銅鎳合金原子結構與其相對含量之關聯性 abstract: 我們以延伸X光吸收光譜精細結構 (EXAFS)對面心立方體Cu1-xNix (x=0.2、0.3、0.4、0.5) 合金進行原子結構分析。由於CuNi合金為無序的置換型固溶體，Cu原子和Ni原子在排列上會有互換情形，所以其原子結構較為複雜。從Cu K-edge EXAFS的傅立葉轉換強度觀察到，在距離2.51Å處有第一配位峰，此峰是Cu-Ni鍵結；也在Ni K-edge EXAFS的傅立葉轉換強度分布觀察到，在距離2.50Å處有第一配位峰，此峰為Ni-Cu鍵結。隨著Ni濃度上升，大致上其強度下降，半高寬變寬，鍵長變長。更進一步，我們做擬合曲線得到鍵長、配位數、Debye-Waller factor等數據進行討論，發現鍵長比為Cu-Cu鍵結大於Cu-Ni鍵結大於Ni-Ni鍵結，而且隨Ni濃度上升，Cu-Cu、Cu-Ni、Ni-Ni鍵長下降，而配位數隨著Ni濃度增加，Cu-Cu配位數會下降，Cu-Ni上升，Ni-Cu配位數會下降，Ni-Ni上升，與以Ni濃度比計算的配位數相差越來越大，推測是因為Cu原子有聚集情形產生。比較熱導率與Cu-Cu、Cu-Ni、Ni-Ni的Debye-Waller factor發現聲子熱導對熱導率影響不大。
description: 碩士

以X光吸收光譜探討形狀記憶合金Ti50-xNi50+x之電子結構

Thu, 24 Aug 2017 15:38:13 GMT

title: 以X光吸收光譜探討形狀記憶合金Ti50-xNi50+x之電子結構 abstract: 我們以X光吸收光譜對富鎳之鈦鎳合金Ti50-X Ni50+X (x=0，0.4，0.7，1.0，1.3，1.6)進行有系統之研究。從Ti L2，3 -edge譜中，我們發現L3的吸收峰強度，在x≤1低含量時依序的下降；但在x>1高含量時上升。而Ti 3d未占據態的變化趨勢與奧斯田體相電阻率及電子熱導率的走勢有一致性。從Ni L2，3 -edge譜中，我們發現L3的吸收峰強度，在x≤1低含量時有下降，Ni 3d未占據態的變化趨勢與麻田散體相電阻率的走勢有一致性；在x>1高含量時也是下降。從Ti 的K-edge譜中，主吸收峰只有在x=1.6強度較強，其他並無明顯的變化。從Ni 的K-edge譜中，譜形並無明顯變化，推測與熱電性質較無關聯。
description: 碩士

硼酸鹽非線性光學晶體之能隙的陽離子效應

Thu, 24 Aug 2017 15:38:09 GMT

title: 硼酸鹽非線性光學晶體之能隙的陽離子效應 abstract: 本論文使用CASTEP（Cambridge Serial Total Energy Package）工具進行計算，並針對硼酸鹽晶體中的LBO、CBO、CLBO晶體進行無陽離子的虛擬晶體計算結果做討論，並對其DOS(Density of state)以及orbital density做詳細的觀察與比較，我們發現電子的局域化程度不同而引導出框架有效體積的概念。由比較框架有效體積發現，在某一區間的軌域密度值，其框架有效體積大小趨勢會與能隙大小趨勢呈反比，可用來解釋LBO、CBO、CLBO晶體中的能隙大小趨勢。我們對其他硼酸鹽系列之晶體做框架有效體積的探討(MBO、MBBF、MBOF)，發現都存在框架有效體積大小趨勢與能隙大小趨勢呈反比的軌域密度值範圍，加強了以框架有效體積大小趨勢來解釋能隙大小趨勢的可行性與說服力。
description: 碩士

Gravitino fields in the spherically symmetric black hole spacetime

Thu, 24 Aug 2017 15:38:07 GMT

title: Gravitino fields in the spherically symmetric black hole spacetime abstract: 在本論文內，我們考慮了高維度史瓦西黑洞時空中的重力微子微擾場。在研究重力微子微擾的課題中，通常會引進 Newman-Penrose 方法，不過這個方法只適用在四維的時空中，而不能直接推廣到高維度時空，所以我們採用了另外一種較為直接的觀點來研究這個課題。我們首先研究旋量-向量場在N維球膜中的本徵值問題，並得到一個完整態。利用這些本徵值與本徵態分離了維度史瓦西黑洞時空中的重力微子微擾運動方程式的球對稱部分，並定義了運動方程式中的不變量，進而得到徑向方程式。我們討論了徑向方程式中的有效位勢，並研究了重力微子在高維史瓦西黑洞時空中的吸收機率以及準正則模的相關課題。
description: 博士

利用電化學和電子結構特性影像化牛血清白蛋白與酵素間關係

Thu, 24 Aug 2017 15:38:06 GMT

title: 利用電化學和電子結構特性影像化牛血清白蛋白與酵素間關係 abstract: 本論文使用牛血清白蛋白（Bovine Serum Albumin，BSA）與酵素的反應做為系統，檢測的部分中我們將蛋白質直接修飾於金網網格上，酵素將網格邊的蛋白質水解後，直接量測到變化，這部分所使用的修飾方法都與胺基酸有關，也就代表可適用於所有蛋白質，利用循環伏安法（Cyclic Voltammetry，CV）和電化學阻抗譜（Electrochemical Impedance Spectroscopy，EIS）實驗所得到氧化還原電流和界面電容的反應是依賴於10ng BSA與10mM酵素的影響，最後由掃描光電子顯微儀(Scanning Photoelectron Microscopy，SPEM)及原子力顯微儀(Atomic Force Microscope，AFM)得到表面化學結構和表面形貌的解析。
description: 碩士

以第一原理能帶展開方法研究光電材料之摻雜效應

Thu, 24 Aug 2017 15:38:04 GMT

title: 以第一原理能帶展開方法研究光電材料之摻雜效應 abstract: 　　近代材料科學中，調控材料性質(例如 :電性、磁性、光學性質...等等)最有效方法之一，即在具備週期條件之晶格結構中，引入晶格缺陷(包括 :空缺、摻雜、晶格錯位...等等)。相較於實驗方法(透過新穎技術及濃度控制以製備摻雜晶體)，理論計算則是利用超晶胞(supercell)方法，建立原子層級之摻雜晶體模型。然而，進行超晶胞計算，將隨所對應之布里淵區(Brillouin Zone)縮小所致之能帶摺疊效應，而失去計算所得之能帶結構與無摻雜晶體能帶之關聯性。因此，我們的研究工作是結合基底轉換與倒空間展開方法，將超晶胞的能帶結構展開。展開後的能帶結構圖，可以讓我們直接看出摻雜對於能帶結構的影響(如：對稱性破壞、能帶寬度變化…等等)，而計算結果可直接與ARPES實驗比較。此工作將探討三類不同的結構 : IV族半導體摻雜結構、III-V族缺陷結構與二維(2-D)石墨烯結構。
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利用X光散射研究IrTe2中電荷調制結構的一階相變

Thu, 24 Aug 2017 15:38:03 GMT

title: 利用X光散射研究IrTe2中電荷調制結構的一階相變 abstract: 本論文利用X光散射與變溫量測實驗方法來研究IrTe2的電荷調制結構相變，IrTe2經由電性量測在 T≈280 K，會有一相變化，且伴隨此相變化的是其晶體結構從室溫的trigonal結構，轉變為低溫相的triclinic。使用X-光散射實驗，我們發現在此相變溫度有一調制結構的產生，此調制結構的波向量為q=1/5(1, 0 , -1)，針對此波向量進行變溫量測，觀察到其結構的相變化為一階相變，經由升溫與降溫量測，也觀察到此相變化的遲滯現象，及遲滯寬度約為3 K。而在磁性量測中，發現與溫度無關的抗磁性在降溫過程中溫度約為275 K時磁化率會急遽的下降，導致更多的抗磁性的行為，且在相變溫度時有熱滯現象的發生，與X光散射強度對溫度的變化一致。經由此一研究，我們了解到IrTe2在T~280K的電性與磁性的相變，是由於晶格的形變所產生的。
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利用同步輻射技術研究不同形貌之矽基板La0.7Sr0.3MnO3/Si對於磁性和錳價態之間交互作用的影響

Thu, 24 Aug 2017 15:38:01 GMT

title: 利用同步輻射技術研究不同形貌之矽基板La0.7Sr0.3MnO3/Si對於磁性和錳價態之間交互作用的影響 abstract: 本文主要利用X光光譜探討不同形貌之矽基板對La0.7Sr0.3MnO3/Si的影響。由場效發射式掃描電子顯微鏡 (SEM) 及超導量子干涉儀 (SQUID) 之結果推測樣品晶粒尺寸的變化與其飽和磁化強度以及磁化現象有所關連。進一步藉由錳L3, 2-edge以及氧K-edge近邊吸收光譜得知由氧缺陷所造成的錳二價離子以非等量的形式存在於不同形貌矽基板的常態錳三、四價樣品中。另一方面，由錳L3, 2-edge邊磁圓偏振光譜中發現此錳二價離子會因為含量的不同，產生相異的磁耦合作用。藉由以上量測包含SEM, X光光譜以及磁性相關技術，推斷樣品在不同形貌矽基板中所導致不同的邊界或缺陷效應，會造成錳二價與錳三、四價離子兩者之間的含量比例在不同樣品中的差異。而此含量比例與樣品中飽和磁化強度並非呈現完全的線性關係，這暗示錳二價在樣品中會造成磁性不穩定的狀態，除了降低鐵磁性的效應, 如: 磁死層(magnetic dead layer)之外，尚存在其他影響磁耦合的因子。
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Electronic structures and chemical modifications of nano-material systems : carbon nanotubes, graphene, and metal oxide materials

Fri, 21 Oct 2016 03:39:00 GMT

title: Electronic structures and chemical modifications of nano-material systems : carbon nanotubes, graphene, and metal oxide materials

X-ray scattering studies of CDW modulated structures in Ba1-xKxBiO3

Wed, 19 Oct 2016 03:51:13 GMT

title: X-ray scattering studies of CDW modulated structures in Ba1-xKxBiO3 abstract: The correlation between charge-density waves (CDWs) and superconductivity has been a subject of extensive study for a long time. This thesis describes a series of x-ray scattering experiments designed to study CDWs in perovskite superconductors. A review of the properties of CDW materials and the relationship between CDWs and superconductivity is given. Using x-ray scattering techniques the modulated structures caused by the formation of a CDW state have been clarified in a variety of single crystals of Ba1-xKxBiO3. In low resolution measurements, the CDW satellites produce a superstructure doubling the unit cell existing in the range from the semiconducting state (00.37), even in the low temperature superconducting state. Additional peaks with G2 = 0.33a* were observed, which are only present in semiconducting samples. An attempt to determine the size of the modulated structure was undertaken using higher resolution x-ray scattering in the superconductor Ba0.6K0.4BiO3. In this study, the modulated structure was identified to be incommensurate with the host lattice with G1=0.494a* ± 0.11b* and a rather short correlation length of 150Å limited by the CDW domain size. An unusual decrease in the intensities of the CDW superlattice reflections was also observed as the temperature was lowered. Evidence to support to the attribution of these satellites to a CDW distortion was obtained from measurements conducted under applied magnetic fields. Increased splitting of the CDW satellites was observed under a magnetic field of 0.8 T with an extremely long relaxation time when the field was removed. Such a long relaxation time is a characteristic of CDWs associated with metastable states.

Physics of anisotropic materials under pressure

Wed, 12 Oct 2016 02:44:19 GMT

title: Physics of anisotropic materials under pressure abstract: The structural, vibrational, and electronic properties of anisotropic materials under compression are comprehensively investigated in this thesis. Recent developments in the techniques of high-pressure X-ray diffraction and Raman scattering, and significant advances in first principle simulations provide detailed high-pressure studies of condensed matter systems. In view of the widely disparate strength of cohesive forces, these studies consist of ionic compounds, quasi-two dimensional semiconductors, quasi-molecular solids, and end with liquid crystals. As a result of the coexistence of different hierarchical interactions in anisotropic systems, evidence of preferential pressure-induced enhancement of weak bonding is found not only in the structural response to external hydrostatic pressure but also in vibrational and electronic behaviour. Further, the understanding of pressure-induced breakdown of rigid-layer vibrations (explored in layered compounds), pressure-induced electron transfer in molecular crystals, and strong overlap of inter- and intra-molecular vibrational modes of liquid crystals provides insight into the essential physics of flexible molecular systems.

Zn1-xCdxSe/ZnSe超格子の光物性

Wed, 12 Oct 2016 02:20:22 GMT

title: Zn1-xCdxSe/ZnSe超格子の光物性 description: 目次 / p1 要旨 / p3 1.序論 / p6 1.1 青色半導体レーザーの現状 / p6 1.2 本研究の目的 / p16 2.[化学式]/ZnSe量子井戸試料の作製と評価 / p17 2.1 HWE装置の構造と試料作製条件 / p19 2.2 [化学式]/ZnSe量子井戸試料の作製 / p22 2.3 X線回折による[化学式]/ZnSe量子井戸試料の評価 / p23 2.4 電子顕微鏡による[化学式]/ZnSe量子井戸試料の評価 / p29 2.5 まとめ / p31 3.量子井戸の電子準位 / p32 3.1 単一量子井戸の電子準位 / p32 3.2 多重量子井戸の電子準位 / p38 3.3 まとめ / p40 4.[化学式]/ZnSe量子井戸励起子の光吸収 / p41 4.1 エッチング法による吸収用試料の作製 / p41 4.2 光吸収の測定配置と測定条件 / p44 4.3 [化学式]/ZnSe量子井戸励起子の光吸収スペクトル / p46 4.4 まとめ / p51 5.[化学式]/ZnSe量子井戸励起子の発光スペクトル / p52 5.1 [化学式]/ZnSe量子井戸励起子の発光測定配置 / p52 5.2 [化学式]/ZnSe量子井戸励起子の発光スペクトル / p54 5.3 まとめ / p62 6.[化学式]/ZnSe量子井戸励起子発光の時間分解分光 / p63 6.1 2次元量子井戸励起子の寿命 / p63 6.2 [化学式]/ZnSe量子井戸励起子の発光時間分解分光測定系 / p65 6.3 発光時間分解分光の実験結果 / p67 6.4 まとめ / p78 7.強励起発光と誘導放射効果 / p79 7.1 励起子発光の励起強度依存性 / p81 7.2 励起子-励起子散乱による誘導放射の光学利得 / p83 7.3 位相空間充填効果による誘導放射の光学利得 / p85 7.4 電子-正孔プラズマの再結合による発光スペクトル / p86 7.5 [化学式]/ZnSe量子井戸における誘導放射の測定配置 / p89 7.6 発光強度および光学利得スペクトルの励起強度依存性 / p91 7.7 発光強度の励起長さ依存性および井戸層厚に対する光学利得の依存性 / p115 7.8 まとめ / p120 8.誘導放射の温度依存性 / p121 8.1 誘導放射強度の温度依存性の実験結果 / p121 8.2 まとめ / p127 9.結論 / p128 9.1 本研究のまとめ / p128 9.2 今後の課題 / p131 10.謝辞 / p132 11.参考文献 / p133 12.発表論文 / p138

Anyons and chern-simons higgs systems

Tue, 11 Oct 2016 01:06:22 GMT

title: Anyons and chern-simons higgs systems abstract: In 2+1 dimensions, there are exotic objects called anyons obeying fractional statistics. They can be elegantly described by charged particles which interact via a gauge field with the Chern-Simon kinetic term, and are found to be relevant in the fractional quantum Hall effect. In this type of theories, there exists a special set called self-dual systems, which is simpler to analyze yet still manifests clearly various nontrivial features of anyons. In this thesis, I want to explore various aspects of self-dual Chern-Simons Higgs systems. Expanding the previous works on the system with abelian feature, I investigate the systems with a SU(3) gauge symmetry in detail, which is one of the simplest systems exhibiting full-fledged nonabelian features. Moreover, self-dual systems usually have an underlying N = :2 supersymmetry. Here, extending the N = 2 supersymmetry, I find the general Maxwell Chern-Simons Higgs models with the maximal N = 3 supersymmetry. Furthermore, I investigate the quantum nature of these selfdual systems, especially the one-loop correction to the Chern-Simons coefficient. Finally I conclude with discussion of various issues and implications of the result.

Dephasing and field-induced modulations of optical coherent transients of ions in crystals

Fri, 07 Oct 2016 01:25:43 GMT

title: Dephasing and field-induced modulations of optical coherent transients of ions in crystals

Advanced pseudopotentials for large scale electronic structure calculations with application to a study of weakly ordeered material-gamma-Al2O3

Fri, 07 Oct 2016 01:15:54 GMT

title: Advanced pseudopotentials for large scale electronic structure calculations with application to a study of weakly ordeered material-gamma-Al2O3

Multiquanta photodetachment from the H-Ion

Thu, 06 Oct 2016 01:43:07 GMT

title: Multiquanta photodetachment from the H-Ion abstract: Multiphoton detachment (MPD) of an electron from the loosely bound Hsystem (binding energy= 0.7542 eV) has been studied at various photon energies and laser intensities. In the center of mass of 800-MeV H-ions the CO2 laser photon energy, 0.117 eV, was Doppler tuned over a wide range, from 0.15 to 0.39 eV. The peak laser intensi ty in the lab frame was varied from 2 to 12 G W j cm2. The general behavior of MPD versus photon energy and the ac-Starkjponderomotive effects are of special interest in the study. Characteristic threshold structures by absorption of 2, 3, 4, and 5 photons were observed, as evidenced by rapid changes in the signal amplitudes. These thresholds provide a straightforward picture of channel opening in MPD as the photon energy is increased. A fit of two-photon detachment data to the Wigner threshold law showed a good match with a small intensity-induced shift in the threshold energy. A study of laser intensity effects demonstrated departures from the simple power law predicted by lowest-order perturbation theory, which is possibly another indication of ponderomotive shifts in the threshold. The absolute MPD rates have been estimated and found to be in fairly good agreement with the results of Floquet theory.

以同步輻射光譜對奈米材料之研究

Fri, 04 Mar 2016 02:04:01 GMT

title: 以同步輻射光譜對奈米材料之研究

研究鋰電池電極材料ZnFe2-yCryO4 (y=0~2)原子及電子結構與電化學反應之關係

Fri, 22 Jan 2016 06:51:32 GMT

title: 研究鋰電池電極材料ZnFe2-yCryO4 (y=0~2)原子及電子結構與電化學反應之關係 abstract: 本論文主要以X光吸收光譜及X光發散能譜研究鋰電池陽極材料ZnFe2-yCryO4的電子原子結構及電化學特性之關係，鋰電池陽極材料ZnFe2-yCryO4 (y=0~2)藉由摻雜Cr (y)去改變其電化學特性，在循環伏安法實驗中發現在不同的y值下有相同的氧化電壓但有不同的還原電壓，藉由同步輻射光進行吸收譜的實驗研究其關係。X光延伸精細結構 (EXAFS)探討ZnFe2-yCryO4 的原子結構，再利用擬合計算出各個晶格參數。X光吸收近邊緣結構 (XANES) 和X光發散能譜(XES) 分析ZnFe2-yCryO4 在y=0~2時各元素之未佔據態資訊與XES佔據態結構比較，利用未佔據態和佔據態能量位置的概念，解釋電化學充放電反應時的電壓與之關係。藉由電子結構的討論更能充分的解釋電化學反應之機制。
description: 碩士

利用同步輻射技術研究飛秒雷射製成硫過量摻雜於矽之次能帶吸收

Fri, 22 Jan 2016 06:51:31 GMT

title: 利用同步輻射技術研究飛秒雷射製成硫過量摻雜於矽之次能帶吸收 abstract: 本論文主要以同步輻射相關實驗研究硫過量摻雜於p-type矽晶產生次能隙吸收與化學態、電子結構、原子結構的相關性。實驗包含光電子能譜(XPS)、X光吸收近邊緣結構(XANES)、X光延伸吸收精細結構(EXAFS)、價電帶放射能譜(VB-PES)以及第一原理理論計算。在S 2p XPS測量，隨著S2-的濃度提高，樣品之次能隙吸收也隨著提高。樣品經過退火處理後，次能隙吸收和S2-濃度同時的減少，而(Sn2-, n> 2)則有所增加，推測次能隙吸收與 S2-濃度有關。在Si的K-edge XANES量測中我們觀察到樣品中矽導帶底端附近之已佔據(未佔據)的電子態密度增加(降低)。而VB-PES測量清楚發現，硫摻雜在能隙中產生雜質態，因此提高次能隙吸收之強度。在第一原理計算態密度泛涵理論(DFT)，預測當硫之濃度大於臨界濃度~0.46％時，造成樣品的Mott 絕緣-金屬相轉變，並且揭示出硫雜質態在價帶最大值與導帶最小值附近增加。
description: 碩士

液態環境下局部還原氧化石墨烯之電子結構與電化學特性

Fri, 22 Jan 2016 06:51:29 GMT

title: 液態環境下局部還原氧化石墨烯之電子結構與電化學特性 abstract: 本論文使用電化學顯微鏡(Scanning Electrochemical Microscopy, SECM)還原出的石墨烯(r-GO)，在使用掃描式電子顯微鏡與文獻常見的方法製備出的樣品做了表面形貌的比較發現，SECM還原後的石墨烯樣品(r-GOs)與其類似。使用拉曼光譜發現到使用SECM製備出的石墨烯(r-GO)，有典型的石墨烯Raman譜，主要包括1345 cm-1(D峰)、1600 cm-1(G峰)。使用XPS光譜(X-ray Photoelectron Spectroscopy)來比較氧化石墨烯(GO)及石墨烯(r-GO)的鍵結性質，其結果發現GO的碳鍵結光譜中包含著代表sp2的C=C、C=O及sp3的氧官能基C-O、C(O)OH，經過SECM還原後，r-GO此兩個含氧官能基鍵結則有明顯大幅下降的趨勢。本實驗方法還原氧化石墨烯為石墨烯的過程中，避免使用有毒以及對環境危害較高的催化劑及金屬，及可在常溫常壓下反應。還原石墨烯(r-GO)經拉曼光譜及XPS分析所得到的結果比較，SECM可成功的將氧化石墨烯還原為石墨烯。
description: 碩士

Crystal growth and magnetic property studies of YBaCuFeO5

Fri, 22 Jan 2016 06:51:28 GMT

title: Crystal growth and magnetic property studies of YBaCuFeO5 abstract: 使用改良式光學移動熔區法(traveling solvent floating zone, TSFZ)成功成長的高品質單晶樣品在磁化率量測上分別於455K與170K呈現兩個反鐵磁相。使用中子單晶及粉末繞射，在高溫的反鐵磁相中，(455K~170K)，發現Fe與Cu的磁性結構為一個等量的反鐵磁有序排列結構，但此反鐵磁相在170K以下則變成一個增殖向量為ki=(0.5 0.5 0.5±δ)的非等向性沿著c軸的螺旋磁結構，並且經由單晶磁化率量測確定Cu與Fe的自旋磁矩在170 K下，排列在ab平面上。在外加磁場的單晶中子繞射實驗中，低溫的磁結構(IC)藉由外加磁場轉換至高溫的反鐵磁相(C)之前會經過一個C-IC的混合相；而在移除磁場的過程中，發現了一個全新的亞穩相(metastable phase)。最後本論文也對於不同比例的Cu與Fe的粉末樣品進行晶體結構與磁性特性的研究，發現在不同比例的樣品中，磁性特性有非常明顯的差異，這個實驗能夠解釋在以前的報導中不一致的轉換溫度。
description: 博士

以X光吸收光譜探討Ni摻雜對熱電材料CoSb3的電子結構之影響

Fri, 22 Jan 2016 06:51:27 GMT

title: 以X光吸收光譜探討Ni摻雜對熱電材料CoSb3的電子結構之影響 abstract: 本論文以X光吸收光譜對 (Co1-xNix)Sb3 ( x=0，0.03，0.07，0.13 ) 及不同燒結溫度之 CoSb3 ( 540、560、580°C ) 進行有系統之研究。從 Co 與 Ni 的 L3 - edge 觀察到 (Co1-xNix)Sb3 摻雜後，Co 3d 軌域可能獲得了 Ni 所提供的電子。(Co1-xNix)Sb3 在室溫時隨著摻雜濃度增加， Ni 3d 軌域提供了額外的導電電子，使的電導率上升。低摻雜濃度時，摻雜濃度增加，熱電力有序下降，Co 3d 軌域未佔據態數目的改變量跟熱電力的變化相關連。另外我們對不同燒結溫度的 CoSb3 去進行研究，從燒結溫度 540°C 升高為 560°C 時，Co 3d軌域未佔據態數目下降，電導率下降。當燒結溫度升高到 580°C 時，CoSb3 從 p - type 變成 n - type ，Co 3d 軌域未佔據態數目上升，與熱電力之結果有相關聯。
description: 碩士

X光吸收光譜對熱電材料Cu2-xNixSe電子與原子結構之研究

Fri, 22 Jan 2016 06:51:25 GMT

title: X光吸收光譜對熱電材料Cu2-xNixSe電子與原子結構之研究 abstract: 我們利用X光吸收光譜近邊緣結構 (X-ray absorption near edge structure，XANES)、延伸X光吸收光譜精細結構 (Extended X-ray absorption fine structure，EXAFS) 探討 Cu2-xSeNix (x = 0 ~ 0.08) 系列樣品。XANES 提供材料的電子結構訊息，而 EXAFS 可提供吸收原子周圍的結構訊息。從 Cu K-edge可估算 Cu 約為 +1.35價，Ni 摻雜對 Cu 價數無影響。Cu1.96Ni0.04Se之Ni價數小於 +2價，Ni濃度上升對價數無明顯改變。當 Ni 濃度上升時，Ni K-edge 4p 未占據態上升，Se K-edge 4p未占據態下降，同時 Cu L3-edge 未占據態下降不利於導電而衛星峰Cu 4s-4p-3d混成程度上升有利於導電，這些數據顯示Cu1.96Ni0.04Se導電率最好。EXAFS結果顯示摻雜Ni之後晶格有扭曲變小的現象，並且使Cu原子固定在常態分布位置。
description: 碩士

負值的固有曲率對二維半柔性生物高分子力學性質的影響

Fri, 22 Jan 2016 06:51:24 GMT

title: 負值的固有曲率對二維半柔性生物高分子力學性質的影響 abstract: 　　在二維的非格點系統(non-lattice system)中，我們用蒙地卡羅法(Monte Carlo method)研究負值的固有曲率(negative intrinsic curvature)對一個二維半柔性生物高分子(semiflexible biopolymers)彈性模型之力學性質的影響，並將其結果與蠕蟲鏈模型(Worm-Like Chain -WLC)做比較。　　當固有曲率為負值時，我們可以證明兩個模型的基態是相同的，且兩個模型有很強的相似性，其中「有很強的相似性」的意思是指：在有限溫度下，對Model 2任意給定負值的固有曲率c、彎曲剛度 k2 後，總可以在Model 1中找到一個對應的彎曲剛度 k1，使得兩個模型的力學性質(如：相對伸長量與力的關係、端點座標y分量的平方平均值與力的關係)在實際情形下難以區分，兩模型以力為函數的平均能量僅差一個常數。　　我們的結果說明負值的固有曲率在Model 2中扮演了提高有效彎曲剛度的角色。在很強相似性的條件下，格點系統(lattice system)與非格點系統(off-lattice system)的固有曲率c與有效彎曲剛度k1皆呈線性關係，但格點系統與非格點系統的線性關係斜率不同，在相同的k2時，在格點系統中斜率變化比較大。
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磁性薄膜在外加磁場下的X光反射率研究

Fri, 22 Jan 2016 06:51:23 GMT

title: 磁性薄膜在外加磁場下的X光反射率研究 abstract: 本實驗利用X光反射率與X光繞射實驗方法來研究磁性薄膜樣品Pd/Fe/Fe-silicide/Si在外加磁場中，其結構的變化情形。我們發現到在磁場作用下，反射光譜圖中由於薄膜層與層之間的差異所形成的建設性干涉條紋波形訊號，其週期性與強度等皆發生隨著外加磁場強度改變而變化的現象，反映出當外加磁場大於一定值時，磁性薄膜樣品的形貌、厚度與粗糙度等物理量會產生變化。因此推測當外加磁場作用在磁性薄膜樣品上，其鐵薄膜層部分形貌有可能發生重新排列的情形。
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以X光吸收光譜探討Cu2Se相關材料之電子與原子結構

Fri, 22 Jan 2016 06:51:21 GMT

title: 以X光吸收光譜探討Cu2Se相關材料之電子與原子結構 abstract: 本文主要為針對半導體熱電材料Cu2Se以及其相關材料分別為：降低Cu濃度以及摻雜Ni之X光吸收近邊緣結構(X-ray Absorption Near Edge Structure，XANES)和延伸X光吸收精細結構(Extended X-ray Absorption Fine Structure，EXAFS)數據分析。結果指出降低Cu濃度後Cu價數及主要載子電洞隨之增加，進而增加其導電性；而反螢石結構之非常態Cu的分佈改變降低其聲子熱導。摻雜Ni後原本不參與電子轉移的Se將參與電子轉移，電子由Cu轉移至Ni，而其反螢石結構晶格之靜態亂序增加將降低其聲子熱導。
description: 碩士