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Items for Author "Ackland, G. J."
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Title
Authors
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[物理學系暨研究所] 期刊論文
1998-12
Compression mechanisms in quasimolecular XI3 (X=As,Sb,Bi) solids
Hsueh, H. C.
;
Chen, Roger K.
;
Vass, H.
;
Clark, S. J.
;
Ackland, G. J.
;
Poon, W. C-K.
;
Crain, J.
[物理學系暨研究所] 期刊論文
1997-01-13
Ab initio elasticity and lattice dynamics of AgGaSe2
Karki, B. B.
;
Clark, S. J.
;
Warren, M. C.
;
薛宏中
;
Hsueh, Hung-Chung
;
Ackland, G. J.
;
Crain, Jason
[物理學系暨研究所] 期刊論文
1996-06-01
Vibrational properties of the layered semiconductor germanium sulfide under hydrostatic pressure: Theory and experiment
Hsueh, H. C.
;
Warren, M. C.
;
Vass, H.
;
Ackland, G. J.
;
Clark, S. J.
;
Crain, J.
[物理學系暨研究所] 期刊論文
1995-06-15
High-pressure effects in the layered semiconductor germanium selenide
Hseuh, H. C.
;
Vass, H.
;
Clark, S. J.
;
Ackland, G. J.
;
Crain, J.
[物理學系暨研究所] 期刊論文
1995-06-15
Pressure-induced polymorphism in CuCl: An ab initio study
Hseuh, H-C.
;
Maclean, J. R.
;
Guo, G. Y.
;
Lee, M-H.
;
Clark, S. J.
;
Ackland, G. J.
;
Crain, J.
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